铠侠（Kioxia Corporation）近日宣布，已开始向客户出货采用其第10代BiCS FLASH 3D闪存技术的1Tb（太比特）三层单元（TLC）内存设备样品。这批全新产品将主要集成到铠侠的企业级和数据中心固态硬盘（SSD）中，旨在进一步强化其产品阵容，以满足人工智能（AI）存储领域对高性能、大容量以及低功耗日益增长的紧迫需求。
据悉，这些创新成果将在位于日本岩手县的铠侠北上工厂第二厂房（Kitakami Plant Fab2）采用尖端设备进行本土制造。
在技术架构上，第10代技术继续沿用了自第8代BiCS FLASH起引入的“CMOS直接键合到晶圆阵列（CBA）”技术和“等间距选择栅极漏极（OPS）”技术。得益于这两项核心技术的创新融合，新一代闪存实现了高达4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第8代产品大幅提升了33%。与此同时，通过实现惊人的332层垂直堆叠并优化横向密度，其位密度（Bit Density）显著增长了59%。在能源效益方面，新技术的写入和读取能效也分别获得了18%和30%的改善，这将有效帮助现代数据中心和企业级基础设施降低整体功耗与运营成本。
目前，铠侠正在其独特的“双轴战略”指导下，同步推进两条截然不同的产品线：其一是第9代解决方案，该方案能够在保持相对较低投资成本的同时，提供极具竞争力的优异性能；其二便是本次推出样品的第10代技术，它通过更先进的层数堆叠技术，实现了超大规模的容量扩张和卓越的性能表现。