IBM近日宣布推出全球首个亚1纳米（sub-1 nm）芯片技术，核心为0.7纳米、即7埃节点的全新晶体管架构。该公司表示，这项成果标志着半导体行业在逼近传统制程物理极限之际，仍然有望继续推进性能与能效提升。
据IBM介绍，这款芯片可在指甲盖大小的芯片上集成近1000亿个晶体管，密度几乎达到其2021年发布的2纳米芯片的两倍。相关技术依托一系列结构与材料创新，尤其是IBM提出的三维“Nanostack”架构，旨在把芯片制造推进到接近原子尺度的时代。
IBM称，公开的技术结果显示，这项新工艺相较2纳米节点芯片，最高可带来50%的性能提升，或70%的能效提升，适用于生成式AI、云基础设施以及下一代电子设备等场景。IBM研究负责人Jay Gambetta表示，这一突破意味着芯片技术正从纳米时代迈向原子尺度，并将为下一阶段计算能力打下基础。
“Nanostack”被IBM描述为业界首个已知的三维、基于纳米片的晶体管设计。该架构通过将晶体管垂直堆叠并错位排列，利用3D顺序集成来提高单位芯片内的晶体管数量，同时还能在不同堆叠层中采用不同材料组合，以便分别优化每一层晶体管的性能和功耗。
IBM还表示，这一架构已通过超薄介电键合的CMOS集成、双通道工程能力演示，以及具备预期开关性能的CMOS反相器功能验证，证明其具备实际制造和计算可行性。与此同时，IBM在VLSI 2026上展示的新研究表明，Nanostack架构可使SRAM实现40%的缩放提升，有助于满足先进AI工作负载对高带宽数据的需求。
IBM指出，随着逻辑技术首次突破1纳米节点以下，芯片制程正在进入“埃级”缩放阶段。公司认为，虽然节点名称如今更多代表制造代际而非精确物理尺寸，但其0.7纳米技术仍证明继续缩放是可行的，并为未来至少十年的工艺演进提供了路线图。
在产业布局方面，IBM表示，这项研发是在纽约奥尔巴尼的半导体研究设施中完成的，该设施未来将配备High NA EUV光刻设备。IBM还与Lam Research、东京电子和SCREEN Semiconductor Solutions等伙伴合作开发High NA EUV工艺与工具，并称相关工作已产出可工作的器件。
IBM同时提到，公司最近还宣布将成立Anderon，这是全球首家纯量子代工厂。按照IBM的说法，随着Nanostack技术最早有望在未来5年内进入亚1纳米节点应用，相关量产路径最早可望在未来5年左右出现。