
根据现场信息,英特尔首席执行官陈立武(Lip-Bu Tan)携多位高管出席了奠基活动,为英特尔位于圣克拉拉 Bowers 园区的新一轮扩建项目破土动工。 出席仪式的英特尔高层包括负责联邦业务的 James Chew、Naga Chandrasekaran、英特尔代工业务副总裁兼光罩运营总经理 Frank Abboud,以及英特尔首席技术官 Pushkar Ranade 等。
英特尔此前已公布,计划在圣克拉拉 Bowers 园区新增约 10.7 万平方英尺的建筑面积。 本次扩建将建设两座全新的三层楼建筑,用于芯片制造、工艺加工以及关键公用工程配套,为英特尔代工业务提供更大产能和更完备的基础设施。

新设施建设预计在 2026 年中启动,目前的开工仪式与该时间表高度吻合。 英特尔表示,这一投资将进一步强化公司“美国制造”(Made in the US)战略,体现其对圣克拉拉本地以及更大硅谷半导体制造生态的长期承诺。
从功能定位来看,Bowers 园区的扩建将成为英特尔先进工艺路线中的关键一环,尤其是在极紫外(EUV)光刻所需掩模(光罩/reticle)生产方面发挥重要作用。 EUV 掩模是实现未来先进制程不可或缺的基础环节,将直接支撑英特尔 18A-P 与 14A 等下一代工艺节点的量产准备。
英特尔此前已多次强调,18A-P 与 14A 等工艺节点以及其先进封装技术、玻璃芯基板(glass core substrates)等创新方案,将构成英特尔代工业务未来多年的核心竞争力。 随着这些技术在外部客户中获得更多信任与关注,代工业务被视为英特尔重新夺回全球半导体领导力的重要抓手。

业内人士指出,当前英特尔代工业务发展势头强劲,公司在未来制程节点、先进封装以及材料创新方向持续投入,引发了众多大型客户的兴趣。 在美国本土持续加大制造投资,一方面有助于提升客户对供应链安全与可控性的信心,另一方面也呼应了美国政府提升本土芯片生产能力的政策导向。
英特尔方面表示,随着圣克拉拉新设施的落地,Bowers 园区在掩模生产、制造支持以及相关配套服务上的能力将显著增强,为包括 18A-P、14A 在内的未来制程提供更有力支撑。 这一及时的投资不仅巩固了客户对英特尔先进技术的信任,也进一步彰显公司在“美国制造”以及硅谷半导体生态长期繁荣方面的坚定承诺。

