SK hynix 宣布已向主要客户送样其新一代 HBM4E 高带宽显存产品，单颗容量最高可达 48GB，数据传输速率最高 16Gbps，旨在满足迅速增长的人工智能芯片市场需求。
在生成式 AI 和大模型推动下，全球数据中心对高带宽存储器的需求急剧上升，迫使 DRAM 厂商加快新一代产品研发节奏。 SK hynix 此次在 HBM4E 送样时间上与竞争对手三星展开“抢跑”，希望率先向合作伙伴提供用于下一代 AI 数据中心平台的解决方案。 报道指出，这些 HBM4E 将主要面向包括 NVIDIA Rubin Ultra、AMD Instinct MI500 在内的高端 AI 加速平台，它们被视为未来 AI 服务器市场的重要营收引擎。
据介绍，SK hynix 在今年 Computex 2026 上曾预览过这代 HBM4E，展示了最高 48GB、12 层堆叠封装、单引脚最高 16Gbps 速率等关键规格。 与此前一代产品相比，HBM4E 在性能与能效上都有明显提升，旨在进一步缓解 AI 训练和推理过程中的内存带宽瓶颈。 与此同时，三星也在展会期间展示了其 HBM4E 及后续 HBM5 技术路线，并提出通过 HPB（Heat Path Block）等新型散热路径设计提升高带宽显存在极高功耗场景下的稳定性。
根据文中给出的对比数据，在 48GB 容量等级下，HBM4E 采用 12-Hi 堆叠结构，而 HBM4 峰值规格对应为 16-Hi，HBM3E 为 12-Hi。 新一代产品在堆叠密度和效率方面均有提升：在 48GB 12-Hi 方案中，单颗堆叠密度提升约 1.5 倍，带宽效率亦有明显改善。 表格显示，HBM4E 在保持 1.2V 工作电压的同时，实现了更高的每引脚带宽和整体带宽目标，以满足更重型的 AI 工作负载需求。
SK hynix 在一份新闻稿中表示，公司已按计划向主要客户交付 12 层堆叠的 HBM4E 样品，这得益于其在高带宽显存开发和量产方面积累的经验。 公司强调，将与合作伙伴紧密协作，确保在合适的时间节点实现 HBM4E 的量产投放，以顺应 AI 基础设施升级节奏。 官方资料称，这一代产品在每引脚数据处理速度上可达 16Gbps，整体功耗效率较前代提升逾 20%，有助于提高 AI 训练与推理过程中单位功耗下的有效算力。
在接口和电路设计上，HBM4E 通过最新一代接口规范与优化后的内部架构降低了数据传输时延，同时保证在极高带宽环境下的稳定工作。 对云端 AI 数据中心和大规模高性能计算系统而言，这意味着在相同机柜与散热条件下可以承载更高密度、更高速度的 AI 加速卡部署，从而提高整体算力密度。
在封装工艺方面，SK hynix 为 HBM4E 引入了 Advanced MR-MUF 技术，使其在 12 层堆叠结构中实现 48GB 容量，并兼顾封装结构稳定性。 官方介绍称，相比前一代 HBM4，HBM4E 在耐热性能方面提升了约 17%，这对持续高负载运行的 AI 节点至关重要，有助于在更高温环境下维持显存芯片的长期可靠性。 结合更高的热容忍度和更紧凑的堆叠设计，新产品更适配当前日益密集的 AI 服务器系统设计趋势。
SK hynix 此前已经在 HBM3、HBM3E 以及 HBM4 的量产和供应上积累了丰富经验，为多家云服务商及 GPU 厂商提供定制优化的高带宽存储解决方案。 公司表示，将在此基础上继续通过 HBM4E 支持下一代 AI 基础设施建设，并协同产业链伙伴共同缓解 AI 系统中普遍存在的内存带宽瓶颈问题。 在全球生成式 AI “算力军备竞赛”愈演愈烈的背景下，HBM4E 被视为未来数年 AI 专用芯片和数据中心平台竞争的关键底层技术之一。