台积电（TSMC）正加速推进其最先进的2纳米芯片制造工艺，比预期进度更快。公司确认其N2制程将在2025年底前进入量产阶段，并同步加紧在台湾本土和美国亚利桑那州的生产部署。
N2节点采用基于纳米片的全环绕栅极晶体管（GAA），取代自16纳米时代以来使用的FinFET架构。公司高管表示，早期量产良率表现强劲，2026年将大幅提升产能。同时，TSMC也在开发下一代N2P工艺，预计2026年下半年推出，以实现进一步效率提升。
2纳米的重大进展恰逢公司三季度财报创新高，营收同比增长超40%，达到331亿美元，主要得益于AI加速器和高端智能手机芯片需求。其先进制程产品（包括N3、N5和N7系列）销售额占整体近四分之三，今年资本支出预计高达420亿美元，其中约四分之三用于扩建尖端制造产能。
亚利桑那州的制造基地成为核心投资方向之一。TSMC已在凤凰城附近的Fab 21工厂第一期模块启动N4制程芯片生产，下一步将上线N3制程。然而，首席执行官魏哲家在本周财报电话会议上表示：“鉴于客户对AI相关需求极为强劲，公司将在亚利桑那更快升级至N2及更先进的工艺。”
这一声明意味着Fab 21的N2量产时间大幅提前，原预计会在本十年末才开始。双线推进彰显全球最大的晶圆代工厂迎合高性能AI和先进计算芯片浪潮的决心。
新模块及N2继任工艺A16的建设工作预计今年底前启动，完工后约有30%的2纳米及更先进产品将在美国生产。亚利桑那的制造基地将发展为“超级工厂集群”（GigaFab），有望实现每月生产约10万片晶圆，并实现封装、测试及本地供应链一体化。
本次战略转变正值美国政策制定者加强本土芯片制造能力、减少对亚洲代工厂依赖之际。魏哲家强调，亚利桑那扩建是创建美国本土“独立、尖端半导体制造集群”的重要一步，公司也在积极探讨现有园区周边的土地收购，以推进超过原定1650亿美元投资承诺的进一步扩张。