尽管业界预计DDR6内存的商业化进程将在2028年至2029年间展开，但中国内存制造商长鑫存储（CXMT）及其供应链已开始采取主动措施，旨在三星和SK海力士巩固其全球市场份额之前抢占先机。为了确保从DDR5向DDR6内存过渡过程中的平稳高效，长鑫存储引入了新的制造合作伙伴，并正在考量从现有的DDR4和DDR5制造工艺向面板级工艺转型。
在DDR4和DDR5的生产过程中，由于二者对基板层数要求较低，长鑫存储无需采用极其复杂的制造流程即可保证良品率。然而，随着DDR6内存将采用多层设计，制造工艺面临重大升级压力。为了应对这一挑战，长鑫存储供应链引入了领先的封装基板制造商海信电子（Haesung DS）。据报道，海信电子在2026年第一季度通过了长鑫存储针对DDR5封装基板的质量认证。此前，长鑫存储的DDR4和DDR5生产主要依赖于成本较低的卷对卷（Reel-to-Reel）制造方法。
对于DDR6内存而言，海信电子正推动采用面板级生产方法，这种工艺能够更好地支持下一代内存所需的多层设计，在维持高生产效率的同时避免技术瓶颈。从理论上讲，现有的卷对卷工艺虽然也可用于DDR6制造，但随着电路层数的增加，该方法的盈利能力和生产效率将出现下降，因此面板级工艺被视为更具可行性的选择。
当前，三星和SK海力士已经在积极研发DDR6内存，长鑫存储正处于与时间赛跑的状态。受全球DRAM供应紧张的影响，长鑫存储在供应链中受到的关注度日益提升。虽然由于技术储备原因，长鑫存储的DDR5产品在性能上仍落后于SK海力士的同类产品，但其独特的市场定位在一定程度上缓解了部分客户的供应风险。据报道，苹果公司目前正在测试长鑫存储的内存芯片，这一进展被认为足以激励长鑫存储加快DDR6的研发进程。虽然目前尚未有明确的量产时间表披露，但长鑫存储在高性能内存领域的加速布局已引发市场对DRAM行业格局未来变化的广泛关注。