三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

2024年05月08日 10:56 次阅读 稿源:快科技 条评论

三星宣布,3nm芯片顺利流片,为芯片的大规模量产做好了准备。据悉,三星与Synopsys公司合作,双方对整个芯片制造过程进行微调,从而最大限度提升芯片良率。这是三星第一款3nm芯片,它采用Gate All Around(GAA)工艺,三星GAA设计被称为MCBFET,即多信道桥式FET。

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三星称,与传统3nm芯片相比,自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%,性能也将得到改善,与之前的4nm FinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。

按照计划,三星接下来会大规模生产下一代Soc,这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500,Galaxy S25系列将会首发搭载,其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400,后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。

除了旗舰手机,三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。

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