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三星或于7月10日举办发布会 智能戒指、折叠产品将登场

4月26日消息,据国外科技媒体的报道,三星计划于7月10日在法国巴黎举办一场名为Galaxy Unpacked的活动。该活动的焦点将是两款手机——Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6。

全球首款骁龙8 Gen3小折叠 三星Galaxy Z Flip6/Fold6蓄势待发

三星将于7月10日举行Galaxy Unpacked活动,本次发布会将在巴黎举行,三星将正式推出Galaxy Z Fold6系列大折叠、Galaxy Z Flip6小折叠以及Galaxy Ring、Galaxy Watch 7系列等新品。其中Galaxy Z Flip6是全球首款搭载高通骁龙8 Gen3平台的小折叠机型,该机整体设计语言跟上代保持一致。

英国运营商EE列表显示三星Galaxy S24 FE型号确实存在

最近我们听说三星正在开发 Galaxy S24 FE,并将于 2024 年底推出。虽然三星方面没有关于 Galaxy S24 FE 的任何消息,但这款手机在英国运营商 EE 数据库中的列表证实了它的存在和商品名称。这家运营商还透露了三星 Galaxy S24 FE 的型号,即 SM-721U。

三星推出价格高得离谱的50W双端口充电头

如果你购买的是三星中端智能手机,甚至是高端型号,包装盒里都不会有充电器,当然,如果你愿意,三星公司会很乐意卖给你各种价格昂贵的充电器。今天,该公司推出了其中最昂贵的产品--双 50W 充电器,它既能以 50W 的功率为一个端口充电,也能以 25W 的功率同时为两个端口充电。

三星与AMD签订价值30亿美元的HBM3E 12H供货协议

据韩国媒体报道,三星电子已与 AMD 签署了一项 4.134 万亿韩元(约合 30 亿美元)的协议,为其提供 12 层高的 HBM3E 堆栈。AMD 在其基于 CDNA 架构的人工智能和高性能计算加速器中使用 HBM 堆栈。

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星半导体今日宣布,其第九代1Tb TLC V-NAND闪存已开始量产。三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示:“我们很高兴推出三星首款第九代V-NAND产品,这将为未来应用的飞速发展提供新的可能性。为了满足持续演进的NAND闪存解决方案需求,三星在新型闪存的单元架构和操作方案上实现了重大突破。”

三星2024款BAR Plus U盘国行上架:最高512GB 读速400MB/s 79.9元起

三星前不久在海外发布了2024款BAR Plus U盘,目前国行版本已经在国内上架。新品共四个版本:64GB 79.9元、128GB 119元、256GB 229元、512GB 458元。

三星Galaxy Ring型号泄露 对应八种不同尺寸

三星的 Galaxy Ring最初是在今年 1 月预告的,随后在2 月的MWC 上展出,预计将在今年 7 月的下一次 Unpacked 发布会上正式发布,届时下一代Galaxy Z Flip和Z Fold也将亮相。到目前为止,我们一直认为 Galaxy Ring 一共会有九种尺寸,但新泄露的信息暗示三星可能会删减其中一种尺寸,最终确定为八种。

消息称三星电子NAND厂开工率已提高至90%

据业内人士21日透露,近期三星电子NAND开工率已提高至90%,此前存储行业衰退时三星开工率一度下降至60%。多位知情人士表示,整体工厂平均开工率已达到90%,一些主要晶圆厂实际上已经“全面开工”了。

三星Galaxy S24 FE正在开发中 可能于2024年底推出

三星在推出旗舰手机 Galaxy S20 之后,每年都会推出经济实惠的 FE(粉丝版)系列旗舰手机。现在有消息证实,三星正在开发 Galaxy S24 FE。据Galaxy Club报道,Galaxy S24 FE 目前正在开发中,项目名称为 R12。

Galaxy S21/S22系列屏幕翻车出绿线 三星印度宣布免费换屏

近段时间不少用户反馈,Galaxy S21/S22系列在系统更新后出现了屏幕绿线问题。据海外报道,三星印度公司对此决定,为Galaxy S21/S22手机用户免费换屏。根据知情人士介绍,导致这种问题的原因又两种可能,其一是三星屏幕存在硬件缺陷。

三星Galaxy Z Flip 6美版现身 Geekbench搭载骁龙8 Gen 3芯片 内存依然8GB

三星将于 7 月初在今年的第二次 Unpacked Event 上发布下一代可折叠手机 Galaxy Z Flip 6 和Galaxy Z Fold 6。虽然距离发布会还有一段时间,但美国版的三星 Galaxy Z Flip 6 已在 Geekbench 上曝光,透露了一些不太令人兴奋的信息。

Galaxy S21用户在软件更新后出现屏幕绿线问题 问题报告堆积如山

绿线问题已经成为很多使用 OLED 面板设备用户的心头之患,自从这个问题出现以来,我们才有机会了解到一个事实,那就是任何使用 OLED 显示屏的手机都无法避免绿线问题。事实证明,目前仍在使用 Galaxy S21 系列设备的三星用户在软件更新后抱怨出现了这一问题,而对于引发这一明显硬件缺陷的原因始终没有合理的解释。

三星将高管工作周改为六天 以"注入危机感"

三星正在全公司范围内推行高管每周工作六天的政策,这家韩国科技巨头正在采取这样的紧急措施来应对持续的业务不确定性。这项新政策是在三星去年令人失望的财务业绩,以及借贷成本和油价上涨、韩币快速贬值等更广泛的经济担忧的背景下出台的。

据传Exynos 2500将成三星首款二代3nm工艺SoC 能效方面超越骁龙8 Gen4

据报道,三星即将推出的 Galaxy S25 系列将坚持双芯片组发布策略,其中一些地区将提供 Snapdragon 8 Gen 4,而另一些地区将销售 Exynos 2500版本。Exynos 2400 带来了一系列惊喜,因为该公司大幅改进了其当前一代旗舰 SoC。明年,三星有望更上一层楼,据传将利用其第二代 3nm 工艺量产 Exynos 2500。此举可能会使该 SoC 的能效属性一举超越高通Snapdragon 8 Gen 4。

16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中 将于2025年亮相

三星已宣布开发出下一代 HBM4 内存,该内存将于 2025 年亮相,并具有一些强大的规格和功能。在这家韩国半导体制造商的一篇博客文章中,三星再次重申其 HBM4 内存目前正在开发中,并将于 2025 年亮相。

三星推出512GB容量的BAR Plus和FIT Plus USB闪存盘

三星电子美国公司今天宣布,其 BAR Plus 和 FIT Plus USB 3.2 Gen 1 闪存盘新增 512 GB 容量。这些 USB 闪存盘具有容量大、速度快、设备兼容性强和可靠性高等特点.

三星开发出业界速度最快的 10.7Gbps LPDDR5X DRAM

三星电子今天宣布,该公司已开发出业界首款 LPDDR5X DRAM,支持 10.7 Gbps 的业界最高性能。利用 12 纳米(nm)级工艺技术,三星实现了现有 LPDDR 中最小的芯片尺寸,巩固了其在低功耗 DRAM 市场的技术领先地位。

三星电子将获得高达64亿美元美国补贴 用于建设高端芯片工厂

拜登政府计划授予三星电子高达64亿美元的补贴,帮助这家公司加大在德克萨斯州的芯片产量。这是美国支持国内半导体制造业努力的一部分。这家韩国公司计划总体投资超过400亿美元,包括投资建设两个芯片工厂,生产4纳米和2纳米逻辑芯片,后者比当前技术水平高出一代。

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

据韩国出版物《Hankyung》报道,三星准备在下个月推出第9代V-NAND(3D NAND闪存),预计将提供 290 层结构,比该公司于 2022 年首次推出的 236 层第八代 V-NAND 有进一步的提高。

传三星将大型OLED研发人员调往中小尺寸OLED部门

如今中小尺寸OLED屏幕应用正逐步扩展,从XR(扩展现实)头显设备到车载显示器。近日韩国业界消息人士称,三星显示(SDC)公司正将部分大尺寸OLED研发人员调往中小尺寸OLED部门,涉及的人员约占30%,大约500人。此举目的是降低部门劳动力成本,同时提升中小尺寸OLED研发能力,拉大与中国竞争对手之间的差距。

三星Galaxy Watch 7 Pro电池出现在印度BIS上 预示产品即将上市

据传,三星今年将推出三个 Galaxy Watch 7 系列版本。其中之一可能是 Galaxy Watch 7 Pro 变体,这在去年的 Galaxy Watch 6 系列中是没有的。虽然 Galaxy Watch 7 系列将于今年晚些时候推出,但据称其"Pro"版本已在印度的 BIS 上曝光。

关键人物回归 三星电子将开启并购潮

三星电子作为全球顶级存储芯片制造商和领先的智能手机和电子产品制造商,多年来一直缺乏并购市场。然而,有现象表明,这家韩国科技企业将设立并购市场,并进行大规模交易。分析师称,几项交易已经在进行中,公告似乎即将发布。

三星电子最快下周宣布440亿美元美国芯片投资计划

三星电子正准备最快下周揭开在美国投资440亿美元生产芯片计划的面纱,这是在华盛顿努力将半导体生产带回美国背景之下的一个标志性项目。据知情人士透露,这家全球最大内存芯片制造商计划与美国商务部长吉娜·雷蒙多一起披露这个在德克萨斯州泰勒项目的梗概。

三星电子五大工会27000人计划4月17日集体罢工

4月10日消息,据BusinessKorea等韩国媒体报道,三星电子五大工会跟管理层的加薪谈判失败后,已表决通过要在4月17日集体和平罢工,以争取更佳的工作环境。报道称,三星五大工会共计约有27,000名成员,其中有四分之三的成员投票赞成此次罢工行动。投票结果已超越法定的半数门坎。

工会74%成员投票赞成 三星电子首次罢工迫在眉睫

在半导体业务开始复苏之际,反对工资谈判的三星电子最大工会在会员投票中获得压倒性支持,取得了罢工权,为三星电子公司历史上首次罢工预埋下了种子。4月8日,三星电子最大工会——韩国金属工人工会联合会旗下的三星电子全国工会公布了3月18日至4月5日的投票结果,以投票赞成或反对举行罢工。

三星:已完成16层混合键合HBM内存验证 整体高度缩减

三星电子高管近日透露,该公司完成了采用16层混合键合 HBM 内存技术验证,已制造出基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存样品,该内存样品工作正常,未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。混合键合技术作为新型的内存键合方式,相较于传统工艺,展现出了显著的优势。

三星据称将从美国获得60亿-70亿美元的补贴 用于扩大得州工厂产能

据媒体援引消息人士报道,拜登政府计划于下周宣布向韩国三星公司提供60亿至70亿美元的补贴,用于扩大其在得州工厂的芯片产能。知情人士称,美国商务部长雷蒙多将公布这笔补贴,补贴将用于三星在得州泰勒市建造四座设施,包括两个工厂、一个先进封装设施和一个研发中心。

三星Galaxy Z Fold 6据称的相机规格可能令粉丝失望 所有变化交给Ultra

等待Galaxy Z Fold 6升级的粉丝们可能要失望了。据传,三星即将推出的这款可折叠手机将配备与其 2023 年的上一代机型 Galaxy Z Fold 5 相同的一组摄像头。据称,Galaxy Z Fold 6 的前置和后置摄像头都是如此。

三星发布新款EVO Select和Plus microSD卡 包括1TB 型号和更快的速度

三星公司今日宣布推出新版本的 EVO Select 和 EVO Plus 存储卡,与早期版本相比,这两种存储卡的速度更快。在一份新闻稿中,三星表示,这些新卡的传输速度将高达每秒 160 MB。相比之下,目前的 EVO Select 和 Plus 存储卡的传输速度最高为每秒 130 MB。

三星推出All-In-One Pro 一款模仿iMac造型的台式电脑

三星公司将其最新台式机命名为 All-In-One Pro,试图生产出一款运行 Windows 系统的 iMac 克隆机型,结果证明这是一次不错的尝试。这款机器与其他同类产品最明显的不同之处在于,它的整个结构都是由铝制成的,包括支架在内,这会使产品非常耐用。此外,它还配备了一些不错的硬件,让我们来详细了解一下这些规格。

消息称三星赢得英伟达2.5D封装订单

三星已赢得客户英伟达的2.5D封装订单。消息人士称,该公司的高级封装(AVP)团队将向GPU制造商提供中介层和I-Cube(2.5D封装)服务。而高带宽存储(HBM)和GPU晶圆生产将由其他公司负责。

Galaxy Z Fold FE和Z Flip FE将于今年晚些时候发布 处理器芯片信息曝光

自从我们开始听说三星可能会发布经济实惠版的 Galaxy Z Fold 以及更高端的 Ultra 版本以来已经有一段时间了,而现在,随着有关 Galaxy Z Fold FE 的新信息浮出水面,我们似乎离这款手机的发布越来越近了。除了 Fold FE,似乎还会有 Galaxy Z Flip FE。

三星 Galaxy Z Fold 6 将配备与 Z Fold 5 相同的电池规格

三星 将于今年晚些时候举行第二次Galaxy Unpacked 2024活动,有报道称可能会提前到今年7月举行。第二次 Unpacked 2024 活动将标志着 Galaxy Z Fold 6 和 Galaxy Z Flip 6 的首次亮相。有关 Galaxy Z Fold 6 的各种细节正在网上浮出水面,最新传言称其电池规格和充电速度与 Galaxy Z Fold 5 相同。

内存周期来了:利润“十倍提升” 三星进入“黄金期”

三星预测今年第一季度营业利润将达到6.6万亿韩元,同比增长931%。分析人士认为,这一乐观预测主要得益于内存芯片价格的反弹。韩国科技巨头三星电子,预测其第一季度的营业利润将同比暴增931%。4月5日,三星在其初步财报中称,今年第一季度的营业利润为6.6万亿韩元(约49亿美元),高于去年同期的6400亿韩元。这也创下了三星自2022年第三季度以来的最高营业利润纪录。

Galaxy Watch FE首次现身 三星希望扩大其粉丝版产品阵容

在过去的几年里,三星成功地推出了一些不同价位的非常棒的产品。现在,该公司似乎想涉足更昂贵的产品,因为有新的证据暗示 Galaxy Watch FE 的存在。Galaxy Watch FE 基于未发布的 Galaxy Watch 4,可能会在今年晚些时候发布。

三星将把在德克萨斯州的芯片投资规模增至约440亿美元

消息人士透露,三星电子计划把对德克萨斯州的投资增加至约440亿美元。据报道,这家韩国规模最大的公司将把大部分新支出集中在泰勒市周边,公司已在当地现有设施附近建设一家芯片厂。三星现计划再建一家芯片制造厂,和一个先进的封装中心。

三星超越苹果 再度成为全球领跑的智能手机供应商

与其说是受欢迎程度,不如说是发布周期,但三星确实再次成为全球第一大智能手机制造商。2023 年 9 月,苹果公司占据了全球智能手机销量榜首的位置,随后的全年分析证实了其地位。苹果公司在欧洲等特定地区也取得了类似的成功。

三星在美赢得内存专利诉讼 推翻3.3亿美元赔偿判决

三星电子赢得了与美国半导体公司Netlist的内存模块专利诉讼案,推翻了此前法院判决,免于赔偿对方3.3亿美元。据业界消息人士4月3日消息,美国当地时间4月2日,美国专利审判与上诉委员会(PTAB)在两起涉及三星内存半导体模块的专利案中,对三星作出有利裁决。

AI助力打赢翻身仗 三星Q1营业利润大增931.3% 结束连续六季下滑

三星电子2024年第一季度利润大幅反弹,反映出该公司关键的半导体部门出现好转,以及Galaxy S24智能手机销量强劲。数据显示,这家全球最大的存储芯片制造商周五公布的初步营业利润约为6.6万亿韩元(合49亿美元),同比大增931.3%,分析师预期为5.37万亿韩元。这一增长结束了自2022年第三季度开始的连续季度下滑。

三星电子第一季度营业利润飙升近10倍

三星电子公司周五公布的初步数据显示,由于内存芯片需求反弹,第一季度营业利润增长近10倍,超出市场预期。该公司在一份监管文件中表示,估计第一季度营业利润为6.6万亿韩元(约合49亿美元),同比增长931.3%。

三星Galaxy S24 FE已开始研发制造 配刚性OLED面板

按照三星产品发布惯例,三星粉丝版将会在每年的下半年发布,尽管距离发布会还有一段时间,但已有迹象显示三星正在为旗舰Galaxy S24系列的粉丝版做准备。据外媒报道,三星已经开始构建Galaxy S24 FE的供应链,截至目前,三星已经选定了显示驱动集成电路(DDIC)的供应商,即韩国公司Anapass。

三星Galaxy Z Fold 6重量首曝:进一步减重 比Z Fold5更轻

三星今年的横向折叠机Galaxy Z Fold6即将到来,引发了众多科技爱好者和行业内部人士的关注。日前,有海外博主曝出了三星Galaxy Z Fold6原型的图片,类似于去年的 Z Fold 5,并且在重量上进一步优化。

三星谋划3D堆叠内存:10nm以下一路奔向2032年

3D晶体管正在各种类型芯片中铺开,3D DRAM内存也讨论了很多年,但一直没有落地。如今三星公开的路线图上,终于出现了3D DRAM。三星的DRAM芯片制造工艺目前处于1b,后续还有1c、1d,都是10nm级别。再往后的10nm以下节点,将分别命名为0a、0b、0c、0d,其中打头的0a工艺预计2027年底-2028年初量产(月产能超过2万块晶圆),0d则要到2032年。

三星正在研发折叠FE新机:系列初次采用Exynos自研芯片

三星正在研发折叠屏形态的粉丝版手机,包括横折和竖折两种形态,将命名为Galaxy Z Fold FE和Galaxy Z Flip FE。据悉,横折机Z Fold FE将会采用骁龙7系平台和三星自研的Exynos两种芯片。

Galaxy Z Fold 6原型机的外屏更高更宽 几乎与S24 Ultra相似

Galaxy Z Fold 6将在几个月后正式发布,根据我们目前掌握的所有信息,三星希望对其可折叠手机进行一些改动。过去Z Fold机型的迭代在设计上有所保留,而这正是三星推出更漂亮产品的好机会。现在,一则显示该设备原型的消息浮出水面,原型显示这款手机的显示屏将比去年略高和略宽。

自研处理器始终和高通有差距 三星Galaxy S25放弃全系采用Exynos的计划

由于Exynos效能始终和高通有差距,三星将继续采用双处理器策略,高通骁龙处理器仍将在S25系列上出现。此前有报道称,三星Galaxy S25系列将全系采用自研Exynos处理器。为此三星还专门成立团队来优化Exynos,通过采用三星第二代3nm制程技术打造,并希望通过S25新机展现成果。

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布

据报道,三星推出了一款名为 CXL 分层内存混合内存模块 (CMM-H TM:CXL Memory Module-Hybrid for Tiered Memory) 的新型 Compute Express Link (CXL)附加卡,该卡添加了可由 CPU 和加速器远程访问的额外 RAM 和闪存。

如果你想知道不同星球的时间 三星Galaxy手表现在可以为你显示了

三星刚刚为 Galaxy 手表用户推出了一款新的智能手表表盘,用户可以通过它来了解太阳系中不同行星的时间。这家韩国科技巨头与欧空局(ESA)合作制作了这款表盘。Galaxy Watch 上的 Galaxy Time 可让您查看时间以及太阳系中所有行星的更多信息。

三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后

三星成为首家进入 3D DRAM 时代的公司,计划在十年内推出解决方案。在过去的几个季度里,DRAM 行业有些沉寂,显然,各公司都在忙于应对高库存水平和低消费需求所带来的严峻财务状况。现在情况有所改善,重点终于转移到了下一代研发上,这一次,三星提出了自己的 3D DRAM 实现方案,预计将在明年生效。

需求强劲 三星将把SSD价格最高上调25%

三星电子今年第二季度上调企业用SSD价格20%至25%的决策,主要源于市场需求的剧增。原本,三星电子计划的价格上调幅度是15%,但显然市场需求的增长超出了预期,因此价格上调幅度有所扩大。

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发

三星半导体业务负责人、联席CEO池庆贤(Kyung Kye-hyun)近日表示,三星电子近日在其存储芯片部门内成立了一个新的高带宽存储(HBM)专门团队,以提高质量和产量。目前三星正在同时开发HBM芯片以及人工智能(AI)芯片Mach-1、Mach-2,以期在AI芯片市场抢占先机。

三星在AIGC赛道上再发力 计划升级核心语音助手Bixby

韩国三星的一位高管近日透露,该公司可能会在其语音助手Bixby中加入生成式人工智能(AIGC)技术,因为这家韩国巨头希望提高其设备的吸引力。Bixby于2017年与三星的Galaxy S8智能手机一起推出。该软件提供了许多功能,包括现场翻译、餐厅推荐等。

三星将推首款平价折叠手机:有望第四季度发布 不支持手写笔功能

科技巨头三星即将在第四季度震撼推出其首款平价折叠机,这款新品预计售价仅为800美元,折合人民币约5777元,相较于市面上其他折叠屏手机,价格优势显著。这款被命名为Z Fold 6 FE的平价折叠机,尽管在摄像配备上采用了标准版规格,并不具备手写笔功能,但其机身设计更为轻薄,为用户提供了更为舒适便捷的使用体验。

三星半导体讨论"水资源压力"及生产扩张的影响

第一个进入太空的人类尤里-加加林说:"地球是蓝色的"。地球三分之二的表面被水覆盖,在黑暗的太空中散发着蓝色的光芒。然而,如今地球面临着水资源匮乏的挑战。对于某些人来说,这可能很难理解。我们的蓝色星球地球怎么了?

三星加速micro OLED生产 或在三年内实现量产

近日,三星显示执行董事Jeong Seok-woo在韩国首尔中区K酒店举行的“OLED Korea”大会上,做了题为“未来显示中的AR/VR发展策略”的演讲,表示将加快RGB micro OLED的生产。

三星为其Care Plus Protection增加无限次电池维修服务以取悦客户

一直在使用三星 Care Plus 计划的 Galaxy 用户应该会得到一个好消息,因为该公司已决定对其设备保护计划进行改革,从 2024 年 5 月起,它将为用户提供无限次的电池维修服务。

三星开始在产品目录中列出 GDDR7 内存芯片

JEDEC 已经公布了GDDR7 内存的规格,内存制造商也开始公布他们的初始产品。率先推出这一代产品的是三星公司,该公司已悄然将其 GDDR7 产品添加到官方产品目录中。

报道称Naver在价值7.52亿美元的"Mach-1"AI芯片交易中站在三星一边

在最近的一次股东大会上,三星首次介绍了其Mach-1 代人工智能处理器。其特定应用集成电路(ASIC)设计有望"在边缘计算应用中大显身手",重点关注低功耗和以效率为导向的运行环境。

三星推出更多宝可梦球造型Galaxy Buds耳机盒 售价4879日元

3月27日,三星宣布将在日本推出三款新宝可梦球造型Galaxy Buds耳机盒,分别为:超级球、高级球和大师球,售价4879日元(约合人民币233元),该商品是去年限量发售的宝可梦红白球Galaxy Buds耳机盒的全新版本。

Galaxy Ring 现已出现在三星电池小部件中 发布在即

三星早在今年 1 月发布 GalaxyS24 系列的 Unpacked 大会上就预告了Galaxy Ring,随后又在 2月的巴塞罗那MWC大会上发布了它。与此同时,Galaxy Ring 被曝将支持 Samsung Food,现在它已经出现在三星的电池小工具中,正如你在下面的截图中看到的那样。

三星28 Gbps和32 Gbps GDDR7芯片产品页面上线

三星已经准备好了额定速度为 28 Gbps 的 GDDR7 内存芯片。据报道,这一速度与NVIDIA新一代 GeForce RTX"Blackwell"GPU 所用的内存速度一致。三星 GDDR7 内存芯片的型号为 K4VAF325ZC-SC28,如下图所示,频率为 3500 MHz,内存速度为 28 Gbps(GDDR7 有效值),密度为 16 Gbit(2 GB)。

Galaxy S25 Ultra有四款原型机测试中 但原始设计与S24 Ultra相似

三星已经提前开始了其 Galaxy S25 系列的研发工作,最新消息围绕着明年的高端机型 Galaxy S25 Ultra 展开。从最新的渲染图来看,似乎有四款原型机正在进行测试,每个版本都有不同的尺寸,边框尺寸也各不相同,显然产品正在测试中,三星很可能还未决定选择哪款机型。

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存,这些内存将由三星电子独家供货。在GTC 2024上,黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)"的签名。

三星的3纳米工艺良品率提高了三倍 但仍落后于台积电

三星在提高其3 纳米 GAA 工艺良品率方面遭遇的困难和付出的努力众所周知,但最新的消息称,这家韩国巨头的代工厂已成功地将这一数字提高到原来的三倍。这意味着,3 纳米工艺的良品率从之前的 10%-20%,提高到了现在的 30%-60%。

三星对AI投资者吸引力仍显不足 英伟达能否助其领先HBM芯片市场引质疑

英伟达的意外背书可能令一些投资者对三星电子在人工智能(AI)竞赛中的赶超前景兴奋不已,但也有一些人仍对此有质疑。三星的主要竞争对手SK海力士已是英伟达的供应商,向后者提供了最新版的高带宽存储器HBM3E。黄仁勋似乎暗示英伟达也将从三星购买一些HBM芯片,但SK海力士通过提供前几代技术已经取得了巨大进步。

三星又闻火情 但真正可能冲击供应链的“大火”已经烧了许久

随着国产厂商支棱起来后,近些年来已经鲜少听到“三星工厂失火”的消息了,这也令今天的新闻有些怀旧气息。综合韩联社等当地媒体报道,当地时间周四下午15时37分,位于韩国京畿道龙仁市器兴区的三星SDI大楼突发火情,消防部门接报后迅速赶到现场,大约花了20分钟完全扑灭火情。

三星Android手机系统将开始逐步采用无缝更新机制

对三星实现所谓无缝 Android 更新的看似永恒的等待可能终于结束了。据Android Authority 援引记者米沙尔-拉赫曼(Mishaal Rahman)在 X(原 Twitter)上的帖子报道,印度首批新款三星 Galaxy A55 G5 的用户正在见证一种与Google早在 2016 年随 Android 7.0 Nougat 一起发布的功能一致的行为。

三星将其手机上的游戏启动器统一更名为"游戏中心"

三星手机上有一个名为"Game Launcher"的应用程序,而智能显示器(从智能电视到投影仪)上则有一个"Gaming Hub"。这有点令人困惑,因为这两个应用程序基本上是一样的,而现在它们将拥有相同的名称。

三星计划在2025年前推出microLED Galaxy Watch 但苹果的变动为其带来了不确定性

三星在 microLED 技术上不断取得进步,但目前,该公司仅限于在其巨型电视上使用这些显示屏,而且正如你所知道的那样,这些设备价格不菲。据传,这家韩国巨头将把同样的技术应用到 Galaxy 手表的变体上,有小道消息称,其预定的推出目标是 2025 年。

三星承诺为企业版平板电脑/手机提供长时间的支持

随着 Galaxy S24 系列的推出,三星将某些手机的软件支持期延长至 7 年(包括操作系统更新和安全补丁)。现在,该公司决定为部分企业版设备提供更长时间的支持。

三星准备推出Mach-1芯片 在人工智能推理领域与英伟达一较高下

在第 55 届年度股东大会上,三星电子宣布进军人工智能处理器市场,即将于 2025 年初推出 Mach-1 人工智能加速器芯片。这家韩国科技巨头透露,它计划在快速增长的人工智能硬件领域与英伟达(NVIDIA)等老牌厂商展开竞争。

三星正在积极开发UFS 5.0存储系统 4.0版也还有余力

三星一直走在 DRAM 和 UFS 存储技术的前沿,根据最新的路线图,该公司正在开发下一阶段的超快高效存储技术,即 UFS 5.0 标准。遗憾的是,详细资料显示,我们不应该在 2027 年之前期待这项技术,因为大量的改进正在等待 UFS 4.0 标准的出现。

三星订立目标 最快在2-3年内夺回全球芯片市场第一

三星电子在周三举行的年度股东大会上放下豪言,表示目标是在最快2-3年内重新夺回全球芯片市场的第一位置。据悉,三星电子计划在未来几年内通过一系列的战略举措来实现这一目标。

三星成立AGI计算实验室 打造下一代AI芯片

三星电子公司成立了新的研究实验室,致力于设计通用人工智能(AGI)所需的全新半导体,AGI是人工智能发展的长期愿望。该实验室最初将专注于为大语言模型(LLM)开发芯片,重点是推理(即托管和支持AI模型)。

三星展示GDDR7内存模块:为下一代游戏GPU设计 16Gb密度32Gbps速率

虽然 HBM 内存(如HBM3E)在人工智能数据中心领域占据主导地位,但 GDDR7 将为包括游戏 GPU 在内的大部分客户端市场提供支持,三星在 GTC 上展示了其下一代内存。

三星将在NVIDIA GTC大会上发布"固态硬盘订阅"模式

NVIDIA 2024 年全球技术大会(GTC 2024)在参与人工智能浪潮的科技公司和个人中具有举足轻重的地位,而三星电子(Samsung Electronics)将是展示其未来人工智能计划的重要面孔之一。该公司预计将发布针对人工智能应用的最新内存解决方案,并首次展示SK hynix 最近发布的12 层 HBM3e 内存。不仅如此,预计这家韩国巨头将在会上展示一种新的服务器固态硬盘"订阅"模式。

传三星Galaxy S25将有"重大"设计变更 增大入门型号的显示屏尺寸

过去几代 Galaxy S 系列的发布很可能让消费者觉得三星缺乏为其旗舰家族带来重大设计变化的动力。一位爆料者指出,在经历了几代产品之后,三星终于为 Galaxy S25 带来了美学上的转变,首先是基本型号,据说其显示屏尺寸将比目前的 Galaxy S24 有所增大。

三星DRAM部门业绩表现走向复苏 预计产量将提高

据市场研究机构 Omdia 报告,三星的 DRAM 业务终于开始出现积极增长,该公司正在走向复苏。三星的内存部门多年来一直处于绝望之中,尤其是在 COVID-19 时代之后,主要原因是该部门的消费需求大幅下降,库存水平居高不下,导致连续几个季度的财务业绩出现负增长。

三星Galaxy Watch 7可能有三种版本 还将带来比以前更高效的芯片

我们都知道,三星正在为今年 7 月的一系列新品发布做准备。除了新款可折叠手机外,该公司还将推出新款可穿戴设备。我们已经花了很多时间来讨论 Galaxy Ring,现在是时候来介绍同样将于七月亮相的 Galaxy Watch 7 系列了。

三星即将获得60亿美元资助 在得克萨斯州建芯片厂

据路透社最新报道,三星可能很快会从美国政府获得 60 亿美元的拨款,用于在美国本土扩建芯片制造工厂。这笔新拨款将成为《CHIPS 和科学法案》的一部分,该法案授权超过 2800 亿美元的资金用于促进美国的半导体研究和制造。

美国政府计划向三星电子提供超60亿美元资金

据熟悉内情的人士透露,美国计划向三星电子公司提供60多亿美元的资金,帮助这家芯片制造商在其已宣布的得克萨斯州项目之外进行扩张。知情人士早些时候称,来自芯片法案的资金将是商务部预计在未来几周宣布的几项重大激励之一,其中包括向台积电提供逾50亿美元的资助。

消息称由于HBM产量令人失望 三星正在购置新设备

业内人士认为,三星电子正在向模压填充(MR-MUF)生产技术过渡--其竞争对手内存制造商 SK Hynix 是这种芯片制造技术的倡导者。路透社的独家报道援引了五位业内人士的说法--他们认为三星正在对令人失望的 HBM 产量做出反应。

三星正努力在骁龙 8 Gen 4发布前开始生产LPDDR6内存

三星和 SK Hynix 正在共同努力,以尽快获得 LPDDR6 内存的认证。据业内人士透露,一旦 JEDEC(电子器件工程联合委员会)批准了相关标准,这家韩国公司就准备开始生产内存芯片。

无边框、纯透明 三星首款透明MICRO OLED电视亮相AWE 2024

今天,世界级科技博览盛会,2024中国家电及消费电子博览会(AWE)在上海正式开幕。与CES以消费电子为主角、WMC以通信终端为核心不同,AWE更侧重家电领域,家电厂商也是历届AWE大会的绝对主力。

三星加速玻璃基板芯片封装研发

据韩国Sedaily报道,三星集团组建了一个新的跨部门联盟,这一联合行动将专注于"梦幻基板"的研发。该公司的电子、电气工程和显示部门正在合作,以加速"玻璃基板"芯片封装的商业化。

三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判 提价15-20%

3月13日晚,报道称三星电机(三星集团旗下子公司)计划在本月至下月期间与主要移动端、PC端及服务器端客户就NAND闪存价格展开新一轮的谈判,旨在将价格提升15~20%。在经历了长达一年多的供过于求的市场环境后,三星电子的NAND闪存售价一度逼近成本线。

三星全面停止出售二手芯片设备:怕流入“错误”的公司

据国外媒体报道,随着工艺不断地升级迭代,三星、SK海力士等芯片制造商经常需要替换旧的芯片制造设备。通常情况下,这些被淘汰的设备会被转售至二手市场,然而由于担心美国的制裁,现在三星和SK海力士已经全面停止出售旧设备,宁愿将其堆积在仓库中。

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

有多名知情人士透露,随着芯片制造竞赛的升级,三星电子计划采用竞争对手SK海力士的技术。目前市场对于HBM(高带宽存储)芯片的需求越来越大,然而与竞争对手SK海力士和美光相比,三星却失去了英伟达的大单。

三星加码投资HBM内存封装技术以求与台积电争夺AI业务订单

据路透社援引消息人士的话说,用于制造人工智能芯片的一项关键技术是全球最大的内存制造商韩国三星电子公司落后于本国和美国竞争对手的原因。高带宽内存(HBM)芯片与华尔街人工智能宠儿英伟达(NVIDIA)公司设计的芯片一样,都是人工智能革命的重要组成部分,随着科技和工业部门开始扩展计算和数据处理设施,将人工智能工作负载纳入其中,人工智能革命已成为投资者关注的焦点。

三星中国市场变卦 打响AI手机收费第一枪

三星前不久发布的最新款旗舰手机Galaxy S24系列,引入了全新“Galaxy AI”功能,主打通话实时翻译、写作助手、笔记助手、即圈即搜等AI功能。与海外市场不同的是,在中国市场,三星Galaxy S24的AI功能主要是通过与百度、美图、WPS等合作实现的。

三星将重新开始生产长方形Galaxy Watch

早在 2013 年,三星就推出了一款长方形屏幕的智能手表Galaxy Gear。之后,三星又推出了同样外形的 Gear2和Gear Live,但从那时起,三星似乎就不再生产方形智能手表了。然而,如果今天浮出水面的一份新报告可信的话,这种情况很快就会改变。

第一款骁龙X Elite笔记本:三星Galaxy Book4 Edge价格可能超过14000元

骁龙X Elite最近开始频频露面,预示着基于它的笔记本终于进入了新的开发测试阶段,距离发布越来越近了,今天就确认三星Galaxy Book4 Edge将会首批采纳骁龙X Elite。根据高通的说法,宏碁、华硕、戴尔、惠普、联想等也都会推出骁龙X Elite笔记本,甚至消息称小米也在测试。

三星首款AI手机Galaxy S24系列前三周全球销量增长8%

周一公布的行业数据显示,三星电子的新款Galaxy S24系列智能手机在发布后的前三周取得了强劲的开局,在主要市场的销量均实现了两位数增长。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据,1月28日至2月17日期间,Galaxy S24的全球销量比去年同期的上一代Galaxy S23系列增长了8%,特别是韩国国内市场的销量比上一代增加了22%。

为应对竞争 三星计划将HBM工作组转变为常设办公室

据悉,三星计划将其高带宽内存 (HBM) 工作组转变为芯片部门下的一个常设办公室。消息人士称,三星内存业务总裁李正培 (Lee Jung-bae) 最近下令成立这样一个办公室。他们表示,如果工作组转变为这样一个办公室,该办公室将包括监督设计、解决方案和其他仅专注于开发 HBM 的团队,这有助于早期稳定良率的努力。

三星显示器开建8.6代OLED生产线 预计2026年投产

三星显示器公司周日表示,已开始建设新的8.6代IT有机发光二极管(OLED)生产线,这是该公司为巩固其在全球平板显示器市场领导地位而采取的战略举措。该公司计划在峨山中部工厂将现有的L8生产线改造为A6生产线,生产除智能手机外,面向IT设备的8.6代OLED面板。

三星将首秀36GB HBM3E内存:NVIDIA H200单卡就有216GB

三星日前宣布了全球首款36GB超大容量的新一代高带宽内存HBM3E,而在3月19日凌晨开幕的NVIDIA GTC 2024技术大会上,三星将首次进行公开展示。三星HBM3E采用了24Gb颗粒、12层堆叠(12H),从而将单颗容量做到史无前例的36GB,带宽也提升至1280GB/s,相比前代8H HBM3容量、带宽都提升了50%,垂直密度则增加了超过20%。

三星最新信息图表详细介绍了其可穿戴设备的发展历程

为了庆祝Galaxy Ring上周在巴塞罗那MWC 上的亮相(尽管是在玻璃后面),三星制作了一张新的信息图表,带我们回顾了其可穿戴设备的整个历史,包括 Galaxy Ring 本身。

三星DRAM部门在挣扎多年之后终于看到了盈利的希望

经过多年与库存水平和消费者需求的斗争,三星的 DRAM 部门终于看到了曙光,他们在整体收入中录得了盈余利润。三星在 DRAM 领域大力纠正库存和提高价格的努力终于得到了回报,分析师预计将出现好转。

三星仍需解决3nm工艺良品率问题 目前在50%附近徘徊

近年来,良品率一直是三星晶圆代工业务所要面对的最大问题。特别是在3nm制程节点上,三星率先引入了全新的下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别,也使得良品率问题进一步放大。

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