三星仍需解决3nm工艺良品率问题 目前在50%附近徘徊

2024年03月06日 20:18 次阅读 稿源:Expreview超能网 条评论

近年来,良品率一直是三星晶圆代工业务所要面对的最大问题。特别是在3nm制程节点上,三星率先引入了全新的下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别,也使得良品率问题进一步放大。

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三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊,在良品率方面依然有一些问题需要解决。不过这次的消息里,没有具体说明到底是初代的3nm GAA / 3GAE,还是已经试产、且今年即将量产的第二代3GAP。三星去年曾表示,其3nm工艺量产后的良品率已达到60%以上,不过现在看来,似乎有点过于乐观。

有行业分析师表示,三星GAA流程方法尚未稳定,这多少能解释为什么良品率一直都上不去。不过在4nm工艺上,三星的表现明显更好,良品率已提升至75%,过去一系列的努力终于有了回报。对于谷歌来说也是个好消息,毕竟今年用于新款Pixel 9系列旗舰智能手机的Tensor G4将采用4LPP+工艺制造。

如果三星想要在未来与台积电(TSMC)甚至英特尔代工服务竞争,必须要提升良品率。三星对明年的Exynos 2500寄予厚望,被认为是其SoC设计的翻身之作,计划采用3nm工艺制造,如果良品率问题得不到解决,很难想象如何与高通及联发科的同类产品抗衡。

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