三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。
据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的方式，相比传统上通过增加堆叠层数来提升容量的做法更为可行。同时，这也被视为英伟达应对内存短缺策略的一部分。
NVHBM预计将用于英伟达下一代AI GPU Rubin Ultra，该产品计划于明年推出，届时GPU间互联数量将从最多72路扩展至576路。业内消息人士称，三星已在HBM4验证中展示了业内最高速度水平，可能在速度竞争中占据优势。
在定制化HBM市场中，三星被认为比SK海力士和美光更具竞争力，因为NVHBM同时需要DRAM和基于逻辑芯片的基础裸片（base die）生产能力，而三星能够以一体化方式提供这些能力。
