铠侠近日宣布，已正式向合作伙伴开始出货采用其第9代BiCS FLASH 3D闪存技术的1Tb（万亿比特）TLC（三层单元）存储设备样品，以便合作伙伴在产品大规模量产前进行功能验证。
据铠侠介绍，全新的第9代BiCS FLASH 1Tb TLC设备在第8代技术的基础上，采用了230层的堆叠工艺与先进的CMOS技术。得益于此，该产品的NAND接口传输速率达到了4.8Gb/s，相比第8代产品提升了33%，性能表现足以媲美第10代设备。
值得关注的是，铠侠目前正同步推动第9代与第10代BiCS FLASH设备的研发与应用。其中，第9代设备主打在控制投资成本的同时提供卓越的高性能，而第10代技术则通过更先进的层数堆叠技术追求极佳的存储容量与极致性能。
随着样品出货的开展，设备制造厂商已可正式对其进行功能检测。该类硬件未来预计将重点服务于兼具高性能需求与中低存储容量配置的AI PC及智能手机等终端设备。虽然样品出货并不能立刻解决当前的存储芯片短缺问题，但随着未来商业化量产的推进，将有力缓解市场供需压力，并帮助终端厂商降低硬件成本，从而使消费者最终受益。