随着人工智能对高带宽内存（HBM）的需求持续飙升，各大内存厂商正将大量DRAM晶圆产能转向HBM生产，这一趋势正在对传统标准DRAM的供应链造成严重冲击。台湾内存模组大厂宇瞻科技（Apacer）首席执行官张家骙近日发出警告，指出2027年全球传统标准DRAM的供应量可能大幅缩减多达70%。
这一悲观预测不仅凸显了内存行业的严峻挑战，也与存储巨头SK海力士（SK hynix）CEO郭鲁正此前做出的“2027年将成为业内供应最艰难一年”的预判相呼应。
行业分析数据显示，虽然预计在2027至2028年间全球内存晶圆产能总体将维持约12%的年增长率，但其中接近一半的新增产能将被高利润的HBM吞噬。以业内两大巨头为例，三星计划将HBM出货量从2026年的120亿GB提升至2027年的200亿GB；SK海力士也规划在2027年将HBM供应量扩展至240亿GB。在这场晶圆抢夺战中，非HBM的标准DRAM位元增长率在2027至2028年间将被挤压至仅有15%，远低于同期预计高达22%的市场需求增长率。
宇瞻CEO张家骙表示，如果各大主流内存制造商在2027年仅能释放相当于前一年30%的传统DRAM产能，消费电子行业将面临罕见的巨大供应缺口。SK海力士此前也在财报会议中指出，不仅AI计算与HBM需求旺盛，用于支撑Agentic AI（智能体AI）的高性能服务器DRAM以及高容量NAND闪存的需求也在急速膨胀，这使得标准DRAM在产能分配上处于竞争劣势。
面对传统产能建设跟不上需求爆炸的局面，新一代存储技术的商业化突破或许将成为消费电子市场的唯一解药。目前，包括中国长鑫存储（CXMT）在内的厂商正在加速推动3D DRAM技术的商业应用。该技术通过将存储单元垂直堆叠来成倍提升存储密度与容量，从而无需完全依赖极其昂贵的EUV光刻机去缩小水平制程。若此类新技术能按期实现产能突破，或将为饱受AI产能挤压的传统消费电子市场带来一丝缓解的曙光。