阿斯麦表示,继2024年启动相关实验后,英特尔现已开始将其新一代高数值孔径(High NA)极紫外(EUV)光刻机投入使用。该设备主要用于在微芯片上印制微缩电路图案,从而协助生产部分Panther Lake处理器。
针对在何时部署High NA设备才具备商业意义的问题,半导体行业内一直存在争论。但随着芯片制造商需要不断缩小芯片内部原子级的微观结构尺寸,未来此类设备将成为行业刚需。据悉,High NA光刻机单台造价高达约4亿美元,是标准EUV设备价格的两倍,且将其引入实际生产流程在技术上也面临着极大挑战。
目前,英特尔主要在芯片的特定层位上使用High NA设备,此举将帮助英特尔与阿斯麦共同收集测试数据并对设备进行持续优化。英特尔方面对该消息拒绝置评。
据了解,英特尔正在采用其18A制造工艺来生产Panther Lake芯片,此前已经在生产中使用了阿斯麦的标准EUV光刻机(光刻工艺主要是通过光线来绘制构成芯片电路的复杂图案)。早在2024年,英特尔就已在其位于俄勒冈州希尔斯伯勒(Hillsboro)的研发中心接收了首台High NA设备,该中心也是英特尔研发全新制造工艺和技术的核心基地。


