
传统的HBM产品主要依靠热量经由核心芯片向外传导的间接散热方式,而iHBM则直接将ICE嵌入发热最集中的D2D PHY区域,为该区域构建专用的热量排出通道。
相比传统方案,iHBM的热阻降低了30%以上,在高温、高负载等严苛环境中,产品运行的稳定性得到有效保障。
在量产可行性方面,iHBM采用了已在市场中广泛验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺,能够实现规模化稳定量产。
此外,该技术与客户现有的系统级封装环境具备较高的设计兼容性,客户无需进行大规模设计改动即可直接部署,从而有效降低了实际导入的技术门槛。
SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品中,以满足高性能计算及AI数据中心等超高集成度、高带宽应用场景下的散热管理需求。

