ASML计划于2027年交付56台低数值孔径和10台高数值孔径EUV设备

根据ASML披露的信息，基于现有订单和需求，2027年公司预计将交付56台Low-NA EUV光刻机。其中，英特尔将获得5台、三星7台、SK海力士多达20台。韩国媒体称，SK海力士计划在未来两年内部署20台Low-NA EUV设备，专用于HBM高带宽存储及先进存储解决方案。

High-NA方面，ASML计划交付10台，每台设备售价约3.8亿美元。英特尔将为其14A节点的生产线增添此类设备，SK海力士也将部署2台用于存储业务。英特尔在新一代14A工艺节点上投入巨大，继续扩充自身的High-NA EUV设备阵列。此前，英特尔曾透露，单季度即可完成超过3万片晶圆的处理，且通过优化高端工序，把单层晶圆所需的工艺步骤从40道减少到不足10道，大幅缩短制造周期。三星方面同样在相关业务中取得显著成效，某应用场景的生产周期缩短了60%。

尽管英特尔在High-NA EUV领域起步较早，三星和SK海力士也正在迎头赶上。当High-NA市场快速发展的同时，Low-NA设备的需求同样旺盛。SK海力士据称未来两年还将再采购20台Low-NA EUV设备，平均每年安装10台，这也意味着公司计划在韩国扩建大规模的新晶圆厂房。