美国商务部更新半导体出口管制新规 当地时间4月4日生效

2024年04月03日 20:13 次阅读 稿源:集微网 条评论

近日美国商务部更新半导体出口管制新规,包括加入对EUV掩膜、刻蚀机等制造环节设备的管控,新增对中国澳门地区及D:5组地区采取“推定拒绝”的政策,以及重新澄清AI芯片许可证及其例外情况的适用范围等,预计新规于美国当地时间4月4日生效,对新规的评议截止日期为4月29日。


据浙商电子等研报显示,美国BIS更新的对华出口管制新规的核心变化包括:

第一,新增管制EUV掩膜基板。尤其是为EUV光刻设计的掩膜基板被正式纳入了相关的出口控制类别,并且需要遵守相应的出口许可要求。

第二,更新特定地区出口政策。对于中国澳门或国家组D:5目的地的出口、再出口或国内转移,需要获得出口许可证,其中包括最终用途和最终用户的审查,并采取“假定拒绝”政策。

第三,明确部分技术关键参数。对于集成电路的“总处理性能”(TPP)和“性能密度(PD)”定义及计算方法进行进一步明确。其中,TPP是基于MacTOPS(百万次乘积累加操作每秒)的理论峰值计算,性能密度是TPP除以适用的芯片面积。

第四,补充整机产品的限制。计算机、电子组件和组件若包含特定性能参数的集成电路,比如总处理性能或性能密度超出范畴,则需要接受出口管制。

第五,增加逐案审查政策。对包括AI在内的高性能芯片和相关制造技术的出口,采取“逐案审查”政策,并将考虑技术级别、客户身份、合规计划和合同的规范性等多种因素。

其中,新规对高性能AI芯片的界定是关键重点。

中泰电子的研报显示,美国商务部对高性能芯片的定义(3A090)标准,仍是基于2023年10月的更新,即:(1)TPP(注:总处理性能)≥4800;(2)TPP≥1600且PD(注:性能密度)≥5.92;(3)2400≤TPP<4800且1.6≤PD<5.92;(4)TPP≥1600且3.2≤PD小于5.92。

同时,其多项重要更新还包括:添加3A001.z段落,新增对MMIC放大器和离散微波晶体管的控制,特定用于民用电信应用的设备除外;对于半导体设备(3B001)的修订,对分子束外延生长设备、化学气相沉积(CVD)设备、原子层沉积(ALD)设备等增加了新的控制措施;澄清某些条款,以确保出口、再出口或国内转移物品符合特定许可例外的条件等。

另外,新规还提及关于先进计算设备、超级计算机和半导体最终用途的额外出口控制,即对向中国出口芯片的限制也适用于包含相关芯片的笔记本电脑等。

此前中国商务部发言人对“美国修订半导体出口管制措施”回应称,中方注意到,美方修订了半导体出口管制措施,这距离美上次出台措施仅半年不到。包括美国企业在内的各国企业都希望有一个稳定、可预期的经营环境。美方泛化国家安全概念,肆意修改规则,加严管制措施,不仅给中美两国企业开展正常经贸合作设置了更多的障碍,施加了更重的合规负担,还给全球半导体产业造成了巨大的不确定性。这严重影响中外企业开展互利合作,损害其正当合法权益。中方对此坚决反对。

中国商务部发言人表示,半导体产业高度全球化,经过数十年发展,已形成你中有我、我中有你的产业格局,这是市场规律和企业选择共同作用的结果。中国是全球最大的半导体市场。中方愿与各方一道,加强互利合作,促进全球半导体产业链供应链的安全与稳定。

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