SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术

2024年03月07日 13:57 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

彭博社报道,总部位于利川的SK Hynix公司今年将在韩国投资超过10亿美元,用于扩大和改进其芯片制造的最后步骤,前三星电子工程师、现任 SK Hynix 封装开发主管的 Lee Kang-Wook 说。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的人工智能内存的核心优势所在,进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。

随着现代人工智能及其通过并行处理链消化大量数据的技术的出现,这种技术的重要性与日俱增。虽然 SK 海力士没有披露今年的资本支出预算,但分析师的平均估计是 14 万亿韩元(105 亿美元)。这表明,先进的封装技术可能占到其中的十分之一,是主要的优先事项。

Lee 在接受采访时说:"半导体行业的前 50 年都是关于前端的,也就是芯片本身的设计和制造。但是,下一个 50 年的重点将是后端,即封装。"

在这场竞赛中,率先实现下一个里程碑的公司现在可以跃居行业领先地位。SK Hynix 被 NVIDIA 公司选中,为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM,从而将这家韩国公司的价值推高到 119 万亿韩元。自2023年初以来,SK海力士的股价已上涨近120%,成为韩国第二大最有价值的公司,超过了三星和美国竞争对手美光科技。

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现年 55 岁的 Lee 协助开创了封装第三代 HBM2E 技术的新方法,并很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新是 SK Hynix 在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户地位的关键。

长期以来,Lee 一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年,他在日本东北大学获得了微系统三维集成技术的博士学位,师从发明了用于手机的堆叠电容 DRAM 的小柳光正。2002 年,Lee 加入三星存储器部门担任首席工程师,领导开发了基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术。

这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器,它将芯片堆叠在一起,并用 TSV 连接,以实现更快、更节能的数据处理。

但在前智能手机时代,三星在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常会将组装、测试和封装芯片的任务外包给较小的亚洲国家。

因此,当 SK Hynix 和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 于 2013 年向全球推出 HBM 时,在三星于 2015 年底开发出 HBM2 之前的两年时间里,它们一直没有受到挑战。李在镕三年后加入 SK 海力士。他们不无自豪地开玩笑说,HBM 代表"海力士最好的内存"。

里昂证券韩国公司的分析师 Sanjeev Rana 说:"SK 海力士的管理层对这个行业的发展方向有更好的洞察力,他们已经做好了充分的准备。当机会来临时,他们用双手抓住了它。至于三星,他们被打了个措手不及"。

ChatGPT 于 2022 年 11 月发布,这正是 Lee 翘首以盼的时刻。当时,他的团队在日本联系人的帮助下,已经开发出一种名为大规模回流注塑填充(MR-MUF)的新型封装方法。这种工艺是在硅层之间注入液态材料,然后使其硬化,从而改善了散热和产量。据一位熟悉内情的人士透露,SK 海力士与日本 Namics 公司合作开发了这种材料,并获得了相关专利。

Lee 表示,SK Hynix 正在将大部分新投资用于推进 MR-MUF 和 TSV 技术。

多年来,三星一直被其高层的接班人问题所困扰,现在三星正在进行反击。NVIDIA 去年向三星的 HBM 芯片点头示意,这家总部位于水原的公司于 2 月 26 日表示,它已开发出第五代 HBM3E 技术,该技术拥有 12 层 DRAM 芯片,容量达到 36GB,为业界最大。

同一天,总部位于美国爱达荷州博伊西的美光公司(Micron)宣布开始批量生产 24GB 八层 HBM3E,这将成为 NVIDIA 第二季度出货的 H200 Tensor Core 设备的一部分,令业内观察人士大吃一惊。

随着 SK Hynix 致力于扩大和提高国内技术,并计划在美国建立价值数十亿美元的先进封装工厂,面对日益激烈的竞争,Lee 依然看好 SK Hynix 的发展前景。他认为,目前的投资为未来新一代 HBM 满足更多需求奠定了基础。

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