美光推出业界首款HBM3 Gen2内存 带宽超过1.2TB/s

2023年07月27日 13:41 次阅读 稿源:快科技 条评论

美光宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片。据了解,这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s,引脚速度超过9.2Gb/s,比HBM3提高50%。美光表示,HBM3 Gen2产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍,为人工智能(AI)数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录,可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间,并提供了卓越的总拥有成本(TCO)。

HBM3 Gen2的解决方案的基础是1β(1-beta)工艺,在行业标准封装尺寸内将24GB DRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。

此外,美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB DRAM芯片,与现有的竞争解决方案相比,在给定的堆栈高度下,美光提供的容量增加了50%。

根据美光公布的最新技术路线图,2026年的“HBMNext”将进一步提高容量,可达到36GB至64GB,带宽也会提升至超过1.5TB/s至2+TB/s。

另外,美光明年将会带来GDDR7,容量为16Gb至24Gb,每个数据I/O接口的速率为32Gbps,与三星近期推出的首款GDDR7基本一致。

对文章打分

美光推出业界首款HBM3 Gen2内存 带宽超过1.2TB/s

1 (33%)
已有 条意见

    最新资讯

    加载中...

    编辑精选

    加载中...

    热门评论

      Top 10

      招聘

      created by ceallan