三星电子今天宣布,已经开始在全球范围内首家采用30nm级工艺(30-39nm)批量生产2Gb DDR3内存颗粒。三星称,这种新工艺DDR3内存颗粒在云计算和虚拟化等服务器应用中电压1.35V,频率最高可达1866MHz,而在PC应用中电压为1.5V,皮哦年率最高2133MHz,号称比DDR2内存快3.5倍,相比于50nm级工艺的DDR3也要快1.55倍。
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