美国太空探索技术公司（SpaceX）首席执行官埃隆·马斯克近日表示，当中国掌握某种产品的制造方法后，其规模化生产能力往往能够超过世界其他地区的总和。他认为，锂电池和太阳能产业已经充分体现了这一特点，而SpaceX则是少数能够在规模化生产方面持续领先中国的例外。与此同时，随着中国存储芯片制造商不断提升产能和技术水平，马斯克也将目光投向了内存芯片领域，认为中国在先进存储技术方面仍面临一些更难克服的挑战。
马斯克是在社交平台X上回应有关中国存储芯片产业发展的一番讨论时发表上述看法的。他指出，中国一旦掌握某项产品的制造技术，就有可能凭借庞大的产业规模、制造能力和供应链体系迅速扩大产量。锂电池和太阳能电池板就是典型例子：中国企业不仅能够大规模生产相关产品，还在成本控制和产业链配套方面形成了明显优势。
不过，在马斯克看来，SpaceX是这一规律中的一个特殊案例。按照他的说法，SpaceX向太空运送的载荷总量大约是世界其他地区总和的一个数量级。这里所说的载荷运送能力，主要涉及火箭将卫星及其他有效载荷送入轨道的能力，而不是单纯比较火箭的发射次数。
SpaceX能够取得这一优势，与其可重复使用火箭技术和高频次发射体系密切相关。该公司通过猎鹰9号火箭实现一级助推器的重复使用，大幅降低了部分发射任务的边际成本，并能够以较高频率执行商业发射任务。与此同时，SpaceX还需要持续为旗下星链卫星互联网星座部署大量卫星，因此拥有稳定且规模庞大的内部发射需求。
星链业务也为SpaceX的发射体系提供了独特的应用场景。与主要依靠外部客户订单的传统航天发射企业不同，SpaceX既是火箭制造商和发射服务提供商，也是大型卫星网络的运营商。公司可以根据星链网络建设需求安排发射任务，将火箭研发、生产、发射和卫星部署整合在同一套业务体系中。
这种垂直整合模式，使SpaceX能够不断积累发射经验、优化生产流程，并通过重复使用技术提高火箭和地面设施的利用率。不过，马斯克关于SpaceX运送载荷规模领先其他国家和地区的说法，属于其本人对行业竞争格局的判断，不能简单理解为所有航天技术指标都已全面领先。
与航天产业相比，半导体存储器制造是另一种复杂得多的规模化生产挑战。中国已经建立起相当规模的存储芯片产业，并正在加快追赶全球领先厂商。马斯克认为，尽管中国在部分存储产品上取得了进展，但高带宽内存以及先进的三维堆叠存储技术仍然更加难以攻克。
马斯克特别提到了随机存取存储器（RAM）。他指出，大约三年前，存储器还是一种利润率相对较低、产品高度标准化的商品，而如今，随着人工智能产业迅速扩张，内存已经成为影响高性能计算系统发展的重要资源。
在智能手机和笔记本电脑中使用的低功耗存储器，通常遵循较为成熟的行业标准。对于具备半导体制造基础的企业而言，掌握相关技术后，可以通过扩大生产规模、提高良率和完善供应链来增强竞争力。马斯克认为，中国似乎正在较快地解决这类产品的制造问题。
但高带宽内存（HBM）面临的挑战有所不同。HBM主要用于人工智能加速器和高性能计算系统，需要在有限的空间内提供极高的数据传输带宽，同时控制功耗、发热和信号完整性。它并不是简单地将普通内存芯片做得更快，而是涉及存储芯片设计、先进封装、垂直互连和热管理等多个环节。
随着大型人工智能模型的规模不断扩大，GPU及其他人工智能加速器需要在极短时间内读取和处理海量数据。即使计算芯片本身拥有很高的运算能力，如果内存无法及时提供数据，整个系统的性能也会受到限制。因此，HBM已经成为高端人工智能基础设施的重要组成部分。
HBM通常采用多层DRAM芯片垂直堆叠的结构，并通过硅通孔等技术实现芯片之间的高速连接。与传统内存相比，这种结构能够在较宽的接口上提供更高的数据传输带宽，但也带来了制造和封装方面的难题。
首先，多层芯片需要在有限空间内实现高密度互连，任何一层出现缺陷，都可能影响整个堆叠结构的可靠性和最终良率。其次，随着堆叠层数增加，散热变得更加困难。芯片必须在持续提供高带宽的同时，将温度控制在可接受的范围内，否则可能影响性能、功耗和长期稳定性。
此外，HBM需要与GPU或其他计算芯片紧密配合，通常采用先进封装技术，将存储器与计算芯片集成在同一封装系统中。这意味着，企业不仅要具备DRAM制造能力，还需要掌握复杂的封装工艺，并建立能够满足高端人工智能产品要求的生产和测试体系。
马斯克认为，正是这些因素，使高带宽内存以及将存储芯片直接堆叠在处理器上方的技术，比普通低功耗内存更难实现规模化生产。他所强调的重点并非中国完全无法制造先进存储器，而是从掌握技术原理到稳定、大批量生产高性能产品，中间仍然存在相当大的距离。
中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）近年来持续扩大DRAM业务，并逐步提升产品技术水平。根据TrendForce的数据，2026年第二季度，长鑫存储在全球DRAM市场的营收份额升至9.5%，高于第一季度的7.6%。同期，三星电子的市场份额为39.4%，SK海力士为24.9%，美光科技为23.3%。
这些数据表明，长鑫存储在全球DRAM市场中的地位正在上升，但与三星、SK海力士和美光相比，仍存在明显差距。尤其是在面向人工智能加速器的高带宽内存领域，竞争不仅取决于芯片设计，还涉及先进封装、产品验证、良率以及大规模交付能力。
需要注意的是，普通DRAM市场份额与HBM市场竞争力并不能直接画等号。即使一家企业能够在传统DRAM产品上迅速扩大产量，也不意味着它已经具备与领先厂商相当的高端HBM供应能力。后者需要更加复杂的制造工艺和产业协同体系。
目前，全球人工智能产业对存储器的需求仍在快速增长。大型科技公司持续建设数据中心，训练和运行人工智能模型所需的GPU数量不断增加，而每一套高性能计算系统都需要配备大量内存。HBM的供应能力因此成为影响人工智能加速器产量的重要因素之一。
与此同时，存储芯片制造商也在不断投入资金扩建产能、改进工艺并提高产品性能。对于中国企业而言，扩大传统DRAM产能可以帮助其提高市场份额，而要进一步进入高端人工智能存储器市场，则需要在芯片设计、制造工艺、先进封装和可靠性验证等多个环节持续突破。
马斯克的相关言论也与其本人正在推进的半导体计划有关。特斯拉和SpaceX此前宣布了名为Terafab的芯片制造项目，计划在美国建设规模庞大的半导体制造设施，以满足旗下企业对人工智能计算芯片和其他半导体产品日益增长的需求。
马斯克曾表示，特斯拉、SpaceX及其人工智能业务未来对计算能力的需求，可能远远超过现有供应链能够提供的规模。Terafab的设想是将逻辑芯片制造、存储器制造以及先进封装等环节整合到同一体系内，以便更直接地控制芯片供应，并针对自动驾驶、人形机器人和人工智能数据中心等应用进行优化。
不过，建设先进半导体制造工厂与扩大火箭生产并不是同一类挑战。半导体制造需要长期积累工艺经验，投入巨额资本购买设备，并在洁净室环境中维持高度精密的生产流程。即使拥有充足资金和庞大的内部需求，也不能保证新建工厂能够迅速达到领先厂商的技术水平和量产良率。
对于SpaceX而言，其在可重复使用火箭和高频次发射方面建立的优势，来自长期研发、工程迭代和规模化运营的结合。Terafab能否在半导体领域复制类似的成功，仍取决于项目执行、技术合作、设备供应和制造工艺等多方面因素。
总体而言，马斯克此次评论反映了全球制造业竞争中的一个重要区别：掌握一项技术，并不等于已经具备将其转化为大规模、低成本、高良率产品的能力。中国在锂电池和太阳能产业中展现出的规模化优势十分突出，SpaceX则凭借火箭重复使用和高频次发射形成了自身的竞争壁垒。
在存储芯片领域，中国企业正在扩大传统DRAM业务并追赶先进技术，但高带宽内存涉及的复杂制造、堆叠封装和散热问题，仍然构成更高的技术门槛。随着人工智能对内存带宽和容量的需求持续增长，这一领域能否实现大规模、稳定且具有成本竞争力的生产，将成为未来全球半导体产业竞争的重要看点。