据韩国业内人士透露，全球高带宽内存（HBM）市场领导者SK海力士在混合键合（Hybrid Bonding）技术研发方面正遭遇挑战，其进展可能已经落后于主要竞争对手三星电子。消息称，目前SK海力士尚未开始基于混合键合技术的HBM样品生产，而三星则据称已经向客户送出采用该技术制造的HBM样品。
如果相关消息属实，这对于长期占据HBM市场主导地位的SK海力士而言将是一次不小的挫折。近年来，随着人工智能训练和推理需求快速增长，高带宽内存已经成为AI加速器和高性能计算平台的重要组成部分，供应商之间围绕下一代HBM技术的竞争也愈发激烈。
混合键合被业界视为未来HBM发展的关键封装技术之一。与传统堆叠方式不同，该技术通过将两个芯片上的金属互连结构直接结合，实现永久性连接。多个芯片甚至整片晶圆都可借此进行三维堆叠。由于省去了传统微凸块结构，芯片之间能够实现更短的信号传输路径，从而降低延迟、减少信号失真，并提升整体性能和能效表现。
对于不断提升容量和带宽的HBM产品而言，混合键合还具有提高互连密度、改善散热能力以及缩减封装厚度等优势，因此被认为是支持未来16层甚至更高堆叠HBM产品的重要技术路线。
不过，尽管技术前景广阔，混合键合的制造难度也极高。业内普遍认为，该工艺对晶圆平整度、表面洁净度以及对位精度都有极为严格的要求，因此量产良率和成本控制一直是主要挑战。
目前HBM市场仍由SK海力士占据领先位置。数据显示，在HBM3E和HBM4等主流产品出货量中，SK海力士约占全球市场份额的50%，三星则约占33%。不过，相较此前曾达到约64%的市场占有率，SK海力士已经出现一定程度的回落，而三星则持续扩大影响力。
分析人士认为，未来市场格局是否发生变化，很大程度上仍取决于客户需求。如果主要AI芯片厂商开始更重视更高容量、更先进封装技术以及更高性能的HBM产品，那么率先掌握混合键合技术并进入量产阶段的企业可能获得额外竞争优势。
与此同时，业界对于混合键合的实际导入时间仍存在不同看法。今年早些时候已有报道称，三星和SK海力士都在重新评估该技术的商业化时间表，部分业内预测认为，大规模应用或许不会出现在首批HBM4产品上，而更有可能在后续HBM4E甚至HBM5时代才真正普及。
尽管如此，随着AI计算持续推动市场对更高带宽和更高堆叠密度内存的需求增长，混合键合依然被广泛视作HBM长期发展的核心技术之一。对于正在激烈争夺下一代AI基础设施市场的SK海力士和三星而言，这场围绕先进封装工艺的竞争很可能将在未来几年决定双方在高端存储市场中的地位变化。