随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。
数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。进入第三季度后，这一比例预计将大幅攀升至24%，而到第四季度，超过三分之一的DRAM产品将采用1c工艺制造，占比达到34%左右。按照目前规划，到2027年第一季度，1c工艺占比将进一步提高至约35%，首次超过目前主力工艺1b节点约33%的占比，成为SK海力士最主要的DRAM生产平台。
业内人士指出，DRAM工艺节点与逻辑芯片制造工艺并不能简单对应。存储厂商通常以“1a、1b、1c”等方式区分不同世代的10纳米级DRAM技术，其核心差异体现在晶体管密度、EUV光刻层数以及整体制造复杂度上。SK海力士现阶段广泛使用的1b工艺实际设计尺寸约为12至13纳米，并使用约4层EUV光刻技术；而更新的1c工艺则进一步缩小至约11至12纳米，同时采用5至6层EUV光刻技术，实现更高密度与更优能效。
根据规划，1c工艺未来将承担SK海力士多个关键产品的生产任务，包括面向人工智能市场的HBM4E高带宽存储器、新一代LPDDR6移动内存以及DDR5服务器和桌面内存产品。而当前主力1b工艺则主要用于DDR5、LPDDR5X、HBM3E及HBM4等产品。
从产业竞争格局来看，三星电子和美光也在推进1c工艺转型，但SK海力士正在快速缩小差距并有望后来居上。目前三星约16%的DRAM产量来自1c工艺，美光约为19%，均高于SK海力士第二季度13%的比例。然而随着下半年产能快速切换，SK海力士预计将在第四季度实现反超，成为全球1c DRAM产能规模最大的厂商之一。
分析人士认为，SK海力士积极推进1c工艺的重要原因之一，是其在高带宽存储器市场的领先优势正在持续扩大。随着AI服务器需求爆发，HBM已成为最重要的高利润产品之一，而1c工艺将成为下一代HBM4E的重要技术基础。通过提前完成先进工艺导入，公司希望进一步巩固其在AI存储市场的竞争地位。
不过，随着DRAM微缩不断推进，行业也正面临新的技术挑战。传统6F²平面存储单元结构已越来越接近物理极限，继续缩小尺寸的难度和成本不断上升。因此，包括SK海力士在内的存储厂商，已经开始研究下一代4F²垂直栅极晶体管架构以及3D DRAM堆叠技术，希望通过新的结构设计突破现有技术瓶颈。
尽管下一代架构仍处于研发阶段，但业内普遍认为，1c工艺将在未来数年继续扮演核心角色。对于SK海力士而言，这不仅是一次常规工艺升级，更是面向AI时代高性能存储竞争的重要战略转折点。