英飞凌宣布其氮化镓 (GaN) 功率半导体生产进展顺利，并确认其 300 毫米晶圆厂将于 2025 年第四季度向客户交付样品。这家德国半导体制造商成为第一家成功将 300 毫米 GaN 晶圆技术集成到其现有大批量生产基础设施中的公司，与传统 200 毫米工艺相比，每片晶圆的芯片良率提高了 2.3 倍。
根据 Yole Group 的分析，英飞凌计划利用预计 36% 的年市场增长率，预计到 2030 年 GaN 功率应用的市场规模将达到 25 亿美元。
事实证明，这一时机具有特别重要的战略意义，因为台积电已宣布计划在两年内关闭其 GaN 生产线并拆除设施，这将造成巨大的市场真空。
新的声明解决了一个基本的行业挑战：扩大 GaN 产量，同时保持与硅替代品的成本竞争力。英飞凌的集成器件制造商 (IDM) 模式提供从晶圆制造到最终产品交付的完整工艺控制，从而实现公司预期的同类硅器件和 GaN 器件之间的成本平价。
GaN 业务线负责人 Johannes Schoiswohl 强调，规模化的 300 毫米制造工艺充分利用了英飞凌现有的基础设施投资，同时支持新兴应用的快速产能扩张，包括人工智能系统电源、汽车充电系统和工业电机控制。
台积电战略性地退出 GaN 制造领域表明，该公司的重点仍然放在高利润的逻辑处理器上，而像英飞凌这样的专业功率半导体公司则将主导不断扩张的 GaN 市场。在这个市场中，GaN 卓越的功率密度、开关速度和热性能使其比传统的硅基解决方案具有显著的系统级优势。
